Р-п переход
Электронно-дырочным, или p-n переходом, называют контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости электронным и дырочным. Рассмотрим контакт двух полупроводников n- и p-типа. Величина работы выхода Ф определяется расстоянием от уровня Ферми до уровня вакуума.
1.5. Пробой p-n - перехода
Инерционность процесса обуславливается 2 факторами:. Перераспределением н. Для p-n-перехода характерны два состояния прямо- и обратно-смещенное , поэтому эту ёмкость можно условно разделить на 2 составляющие: диффузионная ёмкость , связанная с перераспределением н. Роль диэлектрика у барьерной емкости выполняет запрещенная зона, практически лишенная носителей.
Свойства p - n -перехода. Примесные полупроводники. Донорная примесь: основные носители заряда - свободные электроны. Остается положительный ион примеси. Акцепторная примесь: основные носители заряда—дырки. Остается отрицательный ион примеси.
Электрические процессы в p-n переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой диодов , транзисторов и других. В полупроводнике p -типа , который получается посредством введения акцепторной примеси, концентрация дырок намного превышает концентрацию электронов. В полупроводнике n -типа , который получается посредством донорной примеси, концентрация электронов намного превышает концентрацию дырок.